Intel: possiamo produrre qubit in silicio nelle nostre fabbriche già oggi

I ricercatori di Intel e QuTech, il centro di ricerca sul calcolo quantistico formato da Delft University of Technology (TU Delft) e Netherlands Organization for Applied Scientific Research (TNO), hanno annunciato di aver creato “i primi qubit in silicio su larga scala” presso l’impianto produttivo Intel D1 di Hillsboro in Oregon.

In parole più semplici, i ricercatori sono riusciti a finalizzare con successo un processo in grado di produrre “oltre 10.000 array con diversi spin qubit al silicio su un singolo wafer con una resa del 95%“. Un risultato che Intel definisce “notevolmente più alto sia nel numero dei qubit che nella resa rispetto ai tipici processi universitari e di laboratorio usati oggi”.

Il risultato e l’intero studio è stato pubblicato su Nature Electronics, ed è la prima ricerca di Intel sottoposta a peer-reviewing (revisione paritaria), ovvero analizzata e validata da specialisti con competenze analoghe a quelle di chi ha realizzato lo studio, con la quale si dimostra “una produzione di successo di qubit sul silicio da 300 mm“.

Il nuovo processo si avvale di avanzate tecniche di fabbricazione dei transistor che includono la litografia completamente ottica per produrre gli spin qubit in silicio, la stessa usata da Intel per produrre i chip CMOS di ultima generazione. Questa ricerca dimostra che è possibile produrre qubit insieme ai chip convenzionali negli stessi impianti di produzione.

“Il calcolo quantistico ha il potenziale di fornire prestazioni esponenziali per determinate applicazioni nel settore dell’elaborazione ad alte prestazioni”, ha affermato James Clarke, direttore della divisione Quantum Hardware di Intel. “La nostra ricerca dimostra che un computer quantistico funzionante non è solo realizzabile, ma potrebbe anche essere prodotto in una fabbrica di chip odierna. Non vediamo l’ora di continuare a lavorare con QuTech per applicare la nostra esperienza con il silicio per sbloccare il pieno potenziale dei quanti”.

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