Cina annuncia scoperta meccanismo per memorie ultra-veloci

(ANSA-XINHUA) – PECHINO, 06 MAG – Ricercatori cinesi hanno
scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di
memoria non volatile ad altissima velocità. Secondo l’Istituto
di Fisica dell’Accademia Cinese delle Scienze, lo sviluppo di
dispositivi di memoria ad alte prestazioni ha avuto un ruolo
chiave nell’innovazione elettronica. I dispositivi di memoria
non volatile, comprese le memorie di sola lettura (ROM) e le
memorie flash, hanno un’alta capacità e affidabilità meccanica,
ma le loro prestazioni sono state spesso ostacolate dal basso
valore di estinzione e dalla bassa velocità operativa.
    Un team di ricerca dell’Istituto di Fisica ha sviluppato
dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima
velocità, basati su eterostrutture di Van der Waals con
interfacce atomicamente nitide tra diversi elementi funzionali,
con un valore di estinzione fino a 10 miliardi.
    Tali dispositivi di memoria sono in grado di compiere
operazioni di lettura e scrittura nell’ordine di 20 nanosecondi,
e di conservare i dati per almeno dieci anni. Gli attuali
dispositivi commerciali di memoria flash leggono e scrivono dati
in un intervallo di 100 microsecondi, ovvero 100.000
nanosecondi.
    Le eterostrutture di Van der Waals sono costituite da diversi
materiali stratificati impilati e possono essere impiegate in
campi di ricerca che vanno dalla scienza dei materiali
all’elettrochimica.
    La ricerca, finanziata dalla National Natural Science
Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della
Tecnologia e dall’Accademia Cinese delle Scienze, lunedì è stata
pubblicata online sulla rivista Nature Nanotechnology.
    (ANSA-XINHUA).
   

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